因此，长图深入研究阻变机理和开发具有高稳定性的阻变存储器至关重要。

｜疫漫3.器件的多级存储数据保持能力。小防2.器件在不同限流下的电流电压特性曲线。

本文为实现高性能存储器的制备提供了一种简单方法，长图也为下一代光电存储器的开发提供了新思路。｜疫漫7.器件在不同天数后的HRS和LRS的输出电流。7.阻变层表面形貌的AFM图像，小防平均层粗糙度为1.41nm。

文章将硫化铅量子点应用在阻变存储器中，长图首先研究了器件的阻变特性、开关速度、数据保持能力和环境稳定性等问题。｜疫漫其次隐藏在众多阻变现象背后的电阻转变机理仍不够清晰。

接着系统性研究了阻变存储器的宽光谱调控特性，小防最后利用导电原子力显微镜技术对阻变机理进行了深入研究。

随着5G时代到来，长图带动人工智能、长图物联网、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求，加上传统存储器市场价格变化等因素，新型存储器将在市场发挥越来越重要的作用。因此，｜疫漫大量的工作从摩擦材料的选取、｜疫漫材料改性、环境控制、电荷泵等多方面来致力于改善TENG的输出电荷密度，有效的将TENG的电荷密度从最初的0.040mCm-2提升至1.03mCm-2的电荷密度，扩展了TENG的应用范围。

d，小防使用ComsolMultiphysics在一定气隙距离下模拟的主TENG的电势分布。g，长图不同外部负载下的输出电流，电压和峰值功率。

共发表SCI论文270多篇，｜疫漫被引用10000多次(WebofScience)，其中，以通讯作者发表《科学》子刊3篇和《自然》子刊2篇，ESI高被引15篇，H-因子50。论文共计引用5070余次，小防H因子40，小防申请发明专利17项(已获权美国专利1项，中国专利7项)，荣获宝钢优秀学生特等奖，重庆市优秀毕业论文，唐立新奖学金等，在摩擦纳米发电领域世界排名前25的科学个人中排名第五。